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针对半导体致冷在中国的现状，采用新的制备技术－－陶瓷工艺，在气氛保护下，通过固相烧结反应法制备温差电多晶材料。利用差热、Ｘ－ｒａｙ衍射、扫描电镜等分析及性能测试，确定了赝三元固溶体化各物Ｐ型（２５℅Ｂｉ〈，２〉Ｔｅ〈，３〉＋７０℅Ｓｂ〈，２〉Ｔｅ〈，３〉＋５℅Ｓｂ〈，２〉Ｓｅ〈，３〉）和Ｎ型（９０℅Ｂｉ〈，２〉Ｔｅ〈，３〉＋５℅Ｓｂ〈，２〉Ｔｅ〈，３〉＋５℅Ｓｂ〈，２〉Ｓｅ〈，３〉）的最佳陶瓷工艺制度。并指出陶瓷工艺的切实可行性，对半导体致冷技术的民用化具有十分重要的意义。