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硒化锑(Sb2Se3)凭借原材料绿色低毒、价格低廉、一维结构贡献良性晶界、二元单相组成易于制备、理想带隙匹配高吸光系数、优异的载流子迁移率及介电常数等优势，在新型高效低成本薄膜太阳电池研究领域引起广泛关注。
基于溅射后硒化法制备开路电压504mV的Sb2Se3薄膜太阳电池
【摘 要】
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硒化锑(Sb2Se3)凭借原材料绿色低毒、价格低廉、一维结构贡献良性晶界、二元单相组成易于制备、理想带隙匹配高吸光系数、优异的载流子迁移率及介电常数等优势，在新型高效低成本薄膜太阳电池研究领域引起广泛关注。
【机 构】
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深圳大学 深圳
【出 处】
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第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会
【发表日期】
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2020年7期
其他文献
铜锌锡硫硒(CZTSSe)是具有前景的薄膜光伏材料，目前其太阳能电池的效率仍受限于较大的开路电压损失。近年来，研究者们对CZTSSe 太阳能电池效率损失的机理进行了一系列的研究，但尚未有令人信服的结论。
近年来,CZTSSe 薄膜太阳能电池由于受VOC 及FF 损失较大等瓶颈问题制约导致其发展缓慢,效率也停滞不前。研究者们已经从多个方面采取了各种措施进行了大量实验以期改善器件性能,都收效甚微。
近年，随着各项太阳能电池技术的飞速发展，对应的单结电池效率逐渐逼近其可加工的极限，如单晶硅的效率26.6％已经持续多年未有刷新.一方面与其性能提升技术难度有关，另一方面其与单结器件的SQ 极限剩余空间极其有限(Δη～2.8％).
铜锌锡硫硒(CZTSSe)材料是一种直接带隙半导体材料,光吸收系数高达 104/cm,作为太阳能电池的吸收层,理论转换效率高达32％,是一种非常有发展潜力的光伏材料。作为高效铜铟镓硒电池的替代,铜锌锡硫硒太阳能电池最突出的优势就是元素组成丰富且无毒,这是进行商业化的大规模TW 级发电的潜在条件[1]。
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铜锌锡硫硒太阳能电池的发展一直受限于自身巨大的开路电压损耗，同样近年来众多研究表明Sn 相关的深能级缺陷是开压损耗的主要来源，说明Sn 组分调控十分重要。
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