【摘 要】
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采用共溅射方法在玻璃基片上制备了(FePt)Cu合金薄膜,FePt合金中添加Cu可以有效降低退火温度,(FePt)Cu(x=19.5﹪)在350℃退火后可以使Hc″达到2.5kOe,Hc⊥达到3.5kOe左右,而纯F
【机 构】
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山西师范大学化学与材料科学学院(山西临汾)
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采用共溅射方法在玻璃基片上制备了(FePt)<,1-x>Cu<,x>合金薄膜,FePt合金中添加Cu可以有效降低退火温度,(FePt)<,1-x>Cu<,x>(x=19.5﹪)在350℃退火后可以使Hc″达到2.5kOe,Hc⊥达到3.5kOe左右,而纯FePt仅有几百Oe.XRD结果表明退火后形成FePtCu三元合金,FePtCu三元合金的形成可能是降低退火温度的主要原因.剩磁曲线分析表明Cu的加入不能明显降低晶粒间交换耦合作用.(FePt)<,1-x>Cu<,x>在400℃退火可以得到10<-18>cm<3>的磁激活体积,满足超高密度磁记录介质的要求.
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