多晶硅晶界相关论文
本文利用电子束诱生电流（EBIC）对铸造多晶硅中晶界的复合特性进行了研究。EBIC 结果显示不同类型的洁净晶界在300 K 和100 K 下的都......
本文通过建立晶界结构模型和晶界势垒分布模型,得到了改善的电流-电压特性表达式,来深入理解多晶硅晶界的电学特性,研究了多晶硅电......
假设晶界界面态呈高斯分布,理论上研究了光照条件下多晶硅晶界的复合特性.我们认为晶界材料是非晶的,研究了光照和掺杂浓度(N)对晶......
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