论文部分内容阅读
本文利用电子束诱生电流（EBIC）对铸造多晶硅中晶界的复合特性进行了研究。EBIC 结果显示不同类型的洁净晶界在300 K 和100 K 下的都未呈现明显的EBIC 衬度，说明洁净晶界的复合能力很弱。过渡族金属（Cu，Ni 和Fe）的沾污能明显提高晶界在常温下的复合能力。不同种类的金属沾污对晶界的复合能力的影响不同，即Cu > Ni > Fe.