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为了得到高击穿电压、高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(PGaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构。......
作为第三代半导体材料,GaN具有临界击穿电场高、禁带宽度大、电子饱和漂移速度快等优良特性。同时由于极化效应,GaN可以与AlGaN等......