n-型掺杂相关论文
低电压(小于2V)和易制备的高性能薄膜晶体管器件和功能电路等在远程传感、可穿戴电子和物联网等领域具有广泛的应用前景。近年来,......
根据固体能带理论,用量子化学EHMO/ CO 方法,计算了高取向反式聚乙炔及其n- 型掺杂态(掺杂Li,Na,K) 的二维能带结构,首次从能隙与带宽角度讨论了聚乙炔经......
锡和硅具有非常高的理论比容量和低的电压平台,而且储量非常丰富,被认为是下一代高能量锂离子电池负极的最佳候选体系。然而,这两......
金刚石作为一种宽带隙(5.4eV)半导体材料,具有优异的物理化学性质,在高温,高频,大功率电子器件等高新科技领域有极大的应用潜力。......
近年来,叠层有机发光二极管(organic light-emitting diodes, OLEDs)器件中发挥重要作用的电荷产生层(CGL)越来越受科研人员的关注。外......