ZnO基紫外光电探测器相关论文
ZnO是一种直接带隙半导体材料,通过掺杂Mg元素可以获得MgZn O三元合金,实现带隙在3.3-7.8 eV之间可调。针对Zn O基MSM结构紫外光电......
学位
