计算了放电等离子体极紫外光刻光源中，不同等离子体长度条件下的收集效率，实验上研究了等离子体长度对Xe气放电极紫外辐射的影响。结......

极紫外光刻技术采用13.5nm的极紫外光作为曝光光源，成为下一代主流光刻技术之一，而极紫外光源是提供13.5nm辐射光输出的关键部分。在......

极紫外（Extreme ultraviolet, EUV）光刻技术被视为实现32nm及更小技术节点的下一代主流光刻技术，它采用波长为13.5nm的极紫外辐射光作......