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Si1-xGex:C合金薄膜相关论文

生长参数对Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影响

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)......

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Si1-xGex:C合金薄膜扩散能量色散谱仪化学气相淀积

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