本文分析了用SPV法确定异型外延材料少子扩散长度的可行性,并对典型工艺参数,给出了有效少子扩散长度L_0与外延层厚度d、外延层及......

基于本征吸收、扩展态输运观点,对表面光电压法(SPV)测量a-Si:H PIN结构Ⅰ层少子扩散长度作了理论推导。与传统的SPV法相比,考虑了......

本文用表面光伏法(SPV)测定了在(100)晶向 InP 衬底上液相外延生长的晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As 外延层中的少子扩散长度。已......