ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

早期的光电二极管由一个反向偏置的pn结组成，其吸收区较窄，光子无法在吸收区被充分吸收；少子在p区或n区扩散时，容易被复合，这会降低光电......