本文以60Coγ射线作为辐照源，采用100rad(Si)/s和10mrad(Si)/s两种不同辐照剂量率。针对基区表面掺杂浓度不同的NPN型双极晶体管，通......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......