HVPE反应器相关论文
氮化镓(GaN)外延生长是LED等光电产业的基础,高质量的GaN薄膜要求使用自支撑衬底进行外延。氢化物气相外延(HydrideVaporPhaseEpitax......
对用于制备GaN的具有同心圆喷头的HVPE(氢化物气相外延)反应器内的输运现象进行了三维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变总载气进......
在氢化物气相外延(HVPE)生长Ga N厚膜中,反应腔壁面总会产生大量的寄生沉积,严重影响薄膜生长速率及质量。本文针对自制的大尺寸垂直......
GaN是重要的宽禁带半导体材料,氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)是制备GaN同质衬底的主要方法。在GaN的HVPE生长中......
对大尺寸氢化物气相外延(HVPE)反应器的流场和温场进行二维数值模拟研究,旨在提高托盘表面温度和温度分布均匀性。基准模拟显示,靠......