HGCDTE光伏探测器相关论文
在HgCdTe焦平面探测器的工作过程中,红外背景辐射通量对探测器的影响非常重要,本文就探测器与背景辐射通量的关系、红外背景通量抑制......
窄禁带半导体材料碲镉汞(HgCdTe)在中远红外光电器件和焦平面阵列方面具有非常重要的应用价值。通常,对碲镉汞的研究多在常规的测试......
HgCdTe光伏探测器在第二代和第三代红外探测器中处于主流地位。如何降低探测器的暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度,其分析计算......
本文论述了HgCdTe光伏探测器的I-V特性和暗电流机制,讨论了离子注入后退火、钝化后烘烤、倒焊互联后退火等热处理过程对HgCdTe光伏......
在HgCdTe光伏探测器件SiO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O2^+清洗和Ar^+刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光......