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自从中村修二研制出GaN基LED后，经过多年的技术发展，GaN基LED已经进入了商业化。虽然GaN材料的衬底有蓝宝石、碳化硅和硅材料，不过由......
作为第三代半导体材料的GaN属直接带隙半导体，具有禁带宽度大、电子漂移速度高、介电常数小等优点。优越的物理化学稳定性使其可以......
在传统的衬底上生长出的GaN都是沿着极性轴c轴方向的,非极性GaN薄膜克服了极性薄膜中因为产生内建电场而带来的发光效率和结晶质量......
