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Cu、Co共掺ZnO多层膜相关论文
退火温度对Cu、Co共掺ZnO多层膜结构与磁性的影响
以Si片为衬底,利用磁控溅射法制备了Cu、Co共掺ZnO多层膜样品,并在氩气气氛下选取500℃、550℃、600℃和650℃作为退火温度进行退......
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稀磁半导体
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Cu、Co共掺ZnO多层膜
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