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AlGaN沟道MIS-HEMTs相关论文
新型AlGaN基电力电子器件研究
自GaN(氮化镓)高亮度蓝光LED的发明获得2014年诺贝尔物理学奖后,新型化合物半导体GaN逐渐被大众所熟知。基于GaN的大功率电子器件......
学位
氮化镓
高电子迁移率晶体管
电力电子
双异质结
AlGaN沟道MIS-HEMTs
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