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300mm掺N直拉Si片相关论文
300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布
采取从某一温度(600-1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一......
期刊
300mm掺N直拉Si片
原生氧沉淀
径向分布
300mm nitrogen-doped Czochralski silicon wafer grown-in
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