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1f低频噪声相关论文
GaN基HEMT器件电离辐照损伤规律及物理机制研究
GaN因其禁带宽、击穿电场高、电子迁移率高、耐高温及抗辐照等优点被视为制备具有高工作温度、高工作频率以及高抗辐照水平功率器......
学位
GaN HEMT
总剂量效应
TCAD
1/f低频噪声
最劣偏置
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