镁掺杂调控相关硕士博士期刊学术论文

作为一种直接带隙结构的Ⅱ-Ⅵ族新型宽禁带半导体材料，室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。另外，ZnO还具有原料丰富、......