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SiC晶体生长过程中源-衬距的减小影响晶体生长速率和晶体的品质。制定了下调坩埚系统高温区和不同粒度的SiC粉源分别放置在坩埚不......
本文主要探讨为提高晶体在振荡器中的适用性工艺的改进.通过回顾历史、提出要求、实验研究、解决问题、最终工艺、结总这种时间和......
适当温度的退火可以降低KDP晶体的内应力,使晶体的消光比提高,从而提高晶体的均匀性.实验证明,50℃退火即可消除部分内应力,110℃......
对一组化学组成为40FeO·xCaO·(60-x)SiO·3BO·3PO微晶玻璃的核化、晶化过程进行的研究发现,钙铁硅微晶玻璃中磁铁矿的核化是在......
六硝基六氮杂异伍兹烷(HNIW,CL-20)是最有希望替代目前应用广泛的RDX的新型炸药。本文针对HNIW感度高的特点,采用沉淀结晶方法......
