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非晶氧化膜相关论文
Ti、Nb非晶氧化膜的制备及其忆阻性能研究
目前由于传统的闪存存储器达到了自身的物理临界尺寸,难以进一步突破纳米级的制备技术,因此很难满足当前社会对信息技术的超高精度......
学位
忆阻器
导电细丝
肖特基势垒
非晶氧化膜
TiO2
Nb2O5
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