零时间击穿相关论文
研究了14-16nm的H2-03合成薄栅介质击穿特性。实验发现,N2O气氛氮化H2-02W合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性......
研究了 14~ 16nm的 H2 -O2 合成薄栅介质击穿特性 .实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零......