ＳｉＧｅＣ三元合金近年来成为人们的研究热点之一。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变，同时调节其能带。该文介绍了用ＵＨＶ／ＣＶＤ生长的掺碳达２．２℅的锗硅......

利用ＵＨＶ／ＣＶＤ系统生长了锗硅碳外延层，对样品进行了二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深度剖析，外延层中含一定量的碳，已形成了锗硅碳三元合金。样品的高分辨电镜（ＨＲＴＥＭ）可......

用超高真空化学气相沉积方法，在Si(100)衬底上生长掺C高达2.2%的Si1-x-yGexCy合金薄膜，外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜，X射......

采用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1-x-yGexCy三元合金的热稳定性.在比较高......