本文介绍了一种Pd栅MOS结构的半导体气敏器件。在叙述Pd栅MOS晶体管气敏机理的基础上,着重讨论了钯栅厚度对器件灵敏度的影响。实......

采用Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si复合栅MIS结构,通过对设计及关键工艺的改进,研制了灵敏度高(120℃,1000ppmH_2中,阈值电压的改变可达520m......

叙述了用钯栅场效应管作为敏感元件的氢气检测报警仪的特点。重点解决了钯栅场效应管的制备工艺、仪器的特殊电路设计和线性化处理......