ZnO晶体为六方晶系纤锌矿结构,是一种宽禁带直接带隙半导体.由于其在室温下的禁带宽度和激子束缚能则分别高达3.37 eV和60 meV,这......

该论文利用EMCORE公司的D180型MOCVD设备进行了InGaAsP、InGaAIP材料体系的外延生长.精确控制源的参数,采用EPISON原位控制In源浓......

pin型硅基薄膜叠层太阳电池因高效率、低成本、光致衰退小等优点具有较大的产业化潜力。为进一步提升这种电池的光电转换效率,通过......