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对GaAs光电导开关的电极进行刻蚀处理,可极大地分散电极处的电场强度,有效避免局部电场的过于集中,从而增大开关的耐压和通流能力,......
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的GaAs/AlxGa1-xAs异质谷间转移......
应用多能谷结构的转移电子效应结合畴动力学分析探讨了高场畴的形成和发展的微观过程,在此基础上把非线性光导开关中观察到的重要特......
光导开关(photoconductive semiconductor switches,PCSS)损伤分为热击穿和电击穿,2种击穿的原因都由开关基底材料陷阱特性决定,因此对......
半绝缘砷化镓光导开关(Semi-Insulated GaAs Photoconductive semiconductorSwitches-PCSS’s)具有极其优良的特性,在超高速电子学......