AlN单晶薄膜是重要的第三代半导体材料,具有宽带隙、耐辐射、耐高温等特点,广泛用于制备半导体发光器件和功率器件。金属有机化学......

氮化铝（AlN）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体薄膜材料,广泛应用于制备高亮度LED、紫外探测器和高频大功率器件。金属有机气相化学沉......

针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模......