ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

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研制了基于薄膜体声波技术的S波段低插损带通滤波器。该滤波器芯片典型测试性能为,相对带宽1.3%,插损优于2 dB、回波损耗优于-12 d......

针对布拉格反射栅的特点,选用ta-C作为高声阻抗材料,AlN作为低声阻抗材料。利用COMSOL Multiphysics对布拉格反射栅薄膜体声波传感......