讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 方法（ＭＣＭ），探讨了确定自由飞行时间的自散射方法，并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动......

在半导体器件 Monte Carlo模拟中 ,自散射的引入是为了简化确定自由飞行时间的计算。文中证明了自散射的引入不改变真实散射的时间......

讨论了用蒙特卡罗法模拟半导Si内电子输运现象的散射机制，探讨并确定自由飞行时间的自散射方法，模拟电子在不同高场下的输运过程，并分......

用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管--MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,......

讨论了用Monte carlo法模拟半导Si内电子输运现象的散射机制，探讨并确定自由飞行时间的自散射方法，模拟电子在不同高场下的输运过程，......

在半导体器件Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模拟中，自散射的引入是为了简化确定自由飞行时间的计算。文中证明了自散射的引入不改变真实散射的时间分布，从而使各......

通过MATLAB仿真,对传统空碰撞蒙特卡洛模型进行改进,并以我国电力系统中广泛应用的SF6-CO2混合绝缘气体为例,验证改进模型的可行性......