脉冲激光沉积法(PLD)相关论文
采用飞秒脉冲激光沉积系统,在Si(111)衬底上制备了a轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜.X射线衍射(XRD)表明:室温(20℃)下沉积的Bi4Ti......
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采用SnO2和Al靶，通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1～8 h)退火处......
用脉冲激光沉积法（PLD）分别在Si（100），SiO2／Si（100），LaAlO3衬底上制备了La0．5Sr0．5CoO3薄膜,在LaAlO3衬底上实现了La0．5Sr0．5CoO3薄膜的近外延生......
用脉冲激光沉积法(PLD)分别在平的和倾角为10°、15°、20°的LaAlO3倾斜衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜和La0.67Ca0......
采用SnO2和Al靶,通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1~8 h)......
采用飞秒脉冲激光沉积系统，在Si（111）衬底上制备了α轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜．X射线衍射（XRD）表明；室温（20℃）下沉积的Bi4Ti3O12／Si（11......
采用飞秒脉冲激光沉积法在Si（100）和Si（111）单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射（XRD）,场扫描电镜（FESEM）,能谱仪（EDX）,傅立......
采用脉冲激光沉积法在SnO2：F（FTO）衬底上制备了非晶Pr0.7Sr0.3MnO3（PSMO）薄膜,并对具有Au/非晶PSMO/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性......
本论文就钛酸锶钡(BST)铁电材料陶瓷制备及其铁电,介电性能,薄膜的PLD制备工艺方面进行了一些基础研究。本论文主要内容有：以BaCO3,......
利用脉冲激光沉积技术（PLD）在硅衬底上生长高c轴取向LiNbO3晶体薄膜,研究了激光脉冲频率即薄膜沉积速率对薄膜结晶质量及取向性的影......
