二维二硫化钨由于具有较高的激子结合能、可调的光学带隙、高的载流子迁移率和较强的自旋轨道耦合等优点,在光电子器件和逻辑电子......

当今,飞速发展的信息技术产业对中央处理器芯片性能和集成度的提升不断提出新的挑战,延续“摩尔定律”面临前所未有的压力。为了在......

过渡金属二硫化物MX2/三卤化铬CrX3组成的范德华异质结能有效操控MX2的谷极化,在能谷电子学中有广泛的应用前景。本文结合第一性原......

自2004年石墨烯在实验上被成功剥离以来,二维（2D）材料的大家族就迅速地发展起来。这些新材料出现带来了一些新奇的性质,而通常这些性......

发现具有更优性能和更具应用前景的二维材料,是目前物理学研究的一个重要目标。由第IV主族元素C和Si形成的石墨烯和硅稀有着优异性......

由于存在热力学和量子力学极限,基于电子电荷自由度处理信息的传统电子器件遇到了发展瓶颈,因此人们探寻用新的量子自由度来处理信......

具有单原子层厚度的二维材料具备三维材料所不具备的新奇物理特性,逐渐成为材料研究的焦点之一。这些二维材料的出现不仅提供了探......

　　单层的MoS2、MoTe2和WSe2等过渡金属硫属化合物是直接带隙半导体材料[1]，近几年在基础研究和应用领域都引起了广泛的兴趣。我们......

单层WSe_2具有良好的物理化学性,因其电子结构的特殊,它在自旋电子学、光电子学和能谷电子学方面均有很好表现。目前,信息储存容量......

自2004年单层石墨烯成功制备以来,氮化硼、硅烯、二硫化钼等一系列新型二维类石墨烯材料的制备和研究应接不暇,为新型低功耗量子器......

探索电子的自由度及其应用是当今凝聚态物理的一个核心问题。传统电子学通过操控电荷自由度来处理信息,其发展已经临近极限。自旋......

能谷自由度作为一种新颖的自由度近年来为相关研究人员所熟知,从而形成了个新的研究方向:能谷电子学。在能谷电子学的应用中,最急......

纳米科技的进步为二维材料的发展创造了条件,而二维材料的发展为推动纳米科技的进步提供了基材,二者相辅相成。我们知道,自从石墨......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......