肖特基势垒调节相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

肖特基势垒调节相关论文

新型金属源／漏工程新进展

当MOSFET器件的栅长缩小到纳米尺度以后，金属源／漏（S／D）结构具有一系列的优点：原子级突变结能够抑制短沟道效应（SCE），低S／D串联电阻和接触电......

期刊

MOSFET 短沟道效应金属源/漏金属硅化物肖特基势垒调节肖特基势垒源/漏 MOSFET Short-channel effect Metal S/

微波退火条件下NiSi/Si肖特基势垒高度的调节

为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术......

期刊

杂质分凝微波退火 NiSi 肖特基势垒调节低温

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