纳米SI晶粒相关论文
在室温、10 Pa氦气氛围中,采用脉冲激光沉积（PLD）技术,通过在烧蚀羽辉正上方距靶面不同位置垂直引入一束氦气流,在烧蚀点正下方与烧......
为了研究不同环境气压条件下纳米Si晶粒成核区的范围,采用波长为308 nm的XeCl脉冲准分子激光器,分别在1—200 Pa的Ar气环境下,烧蚀......
采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在半圆环衬底上制备了含有纳米晶粒的硅(Si)晶薄膜。分析了纳米Si晶粒尺寸和阻尼系数随角度和压强的变......
在室温、10 Pa氦气氛围中,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过在烧蚀羽辉正上方距靶面不同位置垂直引入一束氦气流,在烧蚀点正下方与......
采用XeCl脉冲准分子激光器,在10Pa的Ar气环境下,烧蚀高阻单晶Si靶,分别在距靶3cm的玻璃和单晶Si衬底上制备了纳米Si薄膜.相应的Ram......
提出了一种将激光烧蚀制备的纳米Si晶粒按尺寸大小进行分离的新方法。在10 Pa高纯环境气体Ar下,采用波长为308 nm的XeCl准分子激光......
采用XeCl脉冲准分子激光器 ,烧蚀高阻抗单晶Si靶 ,在 1— 5 0 0Pa的Ar气环境下沉积制备了纳米Si薄膜 .x射线衍射谱测量证实 ,纳米S......
在气压为10 Pa的惰性气体Ar环境下,采用XeCl准分子激光器(波长308 nm),调整激光单脉冲能量密度为4 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000 Ω......
为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、......
为了研究外加电场对脉冲激光沉积纳米Si晶粒的影响,采用XeCl准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在10Pa氩气环境下,调整外加电压的强......
采用脉冲激光烧蚀装置，在不同环境气体下，沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜。利用扫描电子显微镜（SEM）观察样品的表面形貌，并对晶粒尺寸......
在不同环境气体中,对脉冲激光烧蚀产生的Si粒子的输运过程进行了Monte Carlo动力学模拟,并实验研究了脉冲激光烧蚀制备纳米Si薄膜......
采用脉冲激光烧蚀（PLA）技术,在半圆环衬底上制备了含有纳米晶粒的硅（Si）晶薄膜。分析了纳米Si晶粒尺寸和阻尼系数随角度和压强的变化关......
提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的新方法。在10Pa的Ar环境中,采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米Si......
在10 Pa的氩气环境下采用了脉冲激光烧蚀技术（PLA）,通过引入散射电场沉积制备了纳米Si晶粒薄膜.X线衍射谱（XRD）和Raman谱测量均证实了......
为了对纳米Si薄膜中晶粒尺寸的分布进行定量研究，首次提出“晶粒尺寸均匀度”的概念，并对Lowndes等人采用脉冲激光烧蚀方法制备纳米S......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术,在烧蚀点正上方0.35 cm、距靶0.7 cm处引入Ar气流,保持环境气压0.3 Pa,烧蚀高阻抗单晶硅（Si）靶。在烧蚀点......
采用Monte Carlo方法,对脉冲激光烧蚀所产生的烧蚀粒子在环境气体中的输运过程进行了数值模拟。研究了不同脉冲时间间隔与交叠区位......
采用波长为308nm的XeCl脉冲准分子激光器，在5-50Pa的Ar气压下烧蚀高阻抗单晶硅（Si）靶。在烧蚀点正前方、距靶1．5cm处放置一个中心开孔......
