本文用紧束缚模型发展了金属—半导体界面附近的空位理论。研究结果发现:空位对它附近区域的态密度有一定影响;空位的生成能随空位......

计算了硅中带状层错中的空位是记，所使用的Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法是建立在原子轨道线性组合法的基础上，考虑了ｓ＾－ｐ＾－，ｄ＾－型干个原子轨道。用Ｌａｎｃｚｏｓ法得到了带隙及带连连......