用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模.离子注入的能量为400keV的As+离子,注入......

对半绝缘GaAs晶片进行As^+注入，注入能量为400keV，剂量为10^16’cm^-2，用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜，在被动调Q闪光......

用脉冲激光二极管阵列（LDA）作为泵浦源，微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统，以As^＋注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q元件，实现了Nd：YVO4......