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传统工艺条件下生产的碳化硅电热元件存在着电阻离散性大、成品率低、强度低、使用温度低、致密度差等问题。这些难题长期以来制约......
传统的碳化硅电热元件烧结工艺主要通过二次烧结来实现，烧成周期长，能耗过大，烧结过程中生成的CO对环境污染大，不利于自动控制，同时，烧制......
研究了碳化硅表面高温氧化层的微观结构,分析了反应产物对高温抗氧化性能的影响.碳化硅材料在1360℃以下,表面氧化较为轻微,抗氧化......
采用MoSi2粉末自烧结方法，在SiC电热元件表面制备一层致密的MoSi2高温抗氧化涂层，并对其高温抗氧化性进行测试。抗氧化试验在空气中1......
<正> 热镀锌槽是国内外研究的重点课题之一。目前,热镀锌槽的种类很多,各有特色,但距最佳方案都有一定距离。现将各种热镀锌槽的简......
目前国内硅碳棒生产企业采用重结晶工艺生产的硅碳棒热端密度一般低于2.43g.cm,且存在着电阻离散性大、致密度低、使用温度低、使......
SiC电热元件优异的抗氧化性缘于氧化中形成的致密SiO2膜的低氧扩散系数和热膨胀系数对SiC的保护作用,但在加热和冷却过程中的相变......
