砷离子注入相关论文
本文用DCD法测量了注入能量为160keV,济量为1×10^d14-3×10^16cm^T-2,退火温度为500-700℃的As^+注入Si<111>的Rockingcurve。......
用二次离子质谱对As+注入Si1-xGex的快速退火行为进行了研究,Si1-xGex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43,As注入剂量为2×10^16cm^-2,注放能量为100keV,快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为......
采用离子注入和快速热退火处理获得n型锗材料,利用拉曼(Raman)光谱、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻测试(SRP)和四探针等分析方法,......