利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜.通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和......

为了探究阻碍PZT铁电薄膜在市场上得到广泛应用的疲劳失效机理,本文对PZT（锆钛酸铅）铁电薄膜在疲劳过程中的电滞回线、漏电流、保持......

印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁......