直接带隙半导体材料相关论文
CuGa3Te5和Cu2Ga4Te7都是具有缺陷的闪锌矿结构直接带隙半导体材料,带隙宽度分别为Eg=1.0eV(CuGa3Te5)和Eg=0.87eV(Cu2Ga4Te7)。该......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.3eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器、短波长......
ZnO是一种宽禁带化合物直接带隙半导体材料,其室温时禁带宽度为3.37eV,具有良好的热稳定性和化学稳定性,优良的光电性能使得该材料......