以常规 TEM为工具 ,研究了 Si CP/ ZL10 9复合材料中数十个 Si C颗粒及其界面 ,Si优先在 Si C表面上形核、长大 ,形成界面 Si,并形......

以常规TEM为工具,研究了SiCP/ZL109复合材料中数十个SiC颗粒及其界面,Si优先在SiC表面上形核、长大,形成界面Si,并形成大量SiC/Si......