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该文介绍了一个为满足脉冲束流调制器的要求而设计的新型驱动器，它的原理基于电荷贮存延迟的理论。......
介绍了一个满足束流切割器的要求而设计的新型驱动器，它的原理基于电荷贮存延迟的理论。
A new type of driver designed to meet ......
该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻......
运用干－湿－干温热氧化工艺，在４种不同掺杂类型的单晶硅基片上，制备成功非晶态ＳｉＯ２薄膜驻极体。恒栅压电晕充电，等温表面电位衰减及热刺激放电......
位于美国新墨西哥洲的实验室内最近创造出了比任何已知星球内部温度都要高的温度，这个温度约为20-30亿开。在Sandia国家实验室的Z—......
运用热氧化和高温熔凝工艺在轻掺中阻硅片(ρ=8~13Ω·cm)上制备了3种无机驻极体:SiO2薄膜、SiO2-Ta2O5-B2O3-RO复合材料(STBR......
介绍了一种制备介孔纳米复合材料的新方法——SiO2溶胶“纳米粘合剂法”。应用此方法制备的纳米复合材料是介孔材料，材料具有大比表......
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采用ＳＦ６，Ｏ２和空气低温等离子体对双轴拉伸聚丙烯薄膜进行表面改性，考察了表面接枝对驻极性能的影响。表面电位被用作表征电荷贮存容量的参......
