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先进纳米级CMOS器件在航天电子系统中已得到广泛的应用。随着元器件集成度的不断提高,当工艺节点超过45 nm后,高k栅介质HfO2取代传......
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在过去五十多年来,晶体管器件尺寸一直沿着摩尔定律按比例微缩,单个芯片上晶体管的数量从最早的几千个增长到今天的二十亿个。随着......
随着当今社会科学的不断发展，对存储器的要求越来越高，现代的存储器件已经达到了瓶颈，因此，很多新型存储器被大家提出和进行了系统的研......
基于60Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学......
本文制备并研究了ZrO2纳米晶基电荷俘获型存储器的电学性能。我们发现,通过高温退火处理,ZrO2纳米晶从非晶母相中析出,被母相所包......
SONOS电荷俘获型存储器由于其工作电压低、开关速度快、器件抗疲劳特性好、保持时间长等优点而被大量应用于数码相机、手机等便携......
基于有机场效应晶体管（OFET）结构的非易失性存储器不仅具有单只晶体管驱动、非破坏性读取、存储速度快和存储容量大等特点,而且具有......
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氮化镓基高电子迁移率晶体管（HEMT）是实现高效节能与小型化、轻量化电力电子变换器的下一代功率器件。一方面这是由氮化镓材料本身的......
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