电流增益截止频率相关论文
毫米波AlGaN/GaN HEMT的应用进程中,器件的频率特性是至关重要的。其中,器件的电流增益截止频率fT和最高振荡频率fmax更是标志高频......
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的Al-GaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基......
采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效......
从器件版图结构的布局布线出发，提出了射频器件性能增强的的方法。寄生电容，寄生电阻会明显弱化大尺寸器件的射频性能，通过多个小尺寸......
