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本文采用M0VPE技术生长了InGaN量子点并进行了评测。其中，紫外量子点利用了交替通断源的方法，而绿光量子点利用了生长中断的方法。......
利用S-K(Stranski-Krastanov)方法外延自组装GaN量子点会涉及到Ⅴ/Ⅲ比、生长中断、生长时间、生长流量、生长温度以及降温过程中......
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激......
用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用......
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Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs／GaAs／InGaAs quantu
Strained InGaAs/GaAs quantum well (QW) was grown by low-pressure metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Growth......
In GaN/GaN多量子阱结构作为有源区广泛应用于蓝绿光发光二极管（LED）、半导体激光器（LD）等光电子器件。由于缺乏天然的GaN衬底,InN与Ga......
近年来波长范围在1.6—2.11μm的近红外激光器引起研究人员们的注意,工作于此波段的激光器因其发射波长与很多环境以及工业气体,例......
