AMS晶圆代工事业部近日宣布进一步扩展其行业领先高压CMOS专业制程平台。基于该高压平台的先进“H35”制程工艺，使艾迈斯半导体能涵......

场效应管作为可变电阻作用因漏源电压Ｖｄｓ的影响受到限制，本文给几种改善方法。对其它因素的影响也作了一定的探讨。这些方法可单独使用......

具有保护功能的功率开关管ＩＲＳＦ３０１０的特点及其应用李明１、引言ＩＲＳＦ３０１０是美国ＩＲ公司生产的一种三端单片智能功率场效应管，ＴＯ—２２０封装，与现有的功率ＭＯＳＦＥＴ完全兼容，其......

APR343的电路配置利用外部MOSFET来增加灵活性。器件通过感测MOSFET漏源电压，在不连续传导模式下进行同步整流，当输出电压低于某个阈......

研究了改变ＭＥＳＦＥＴ漏源电压大小和交流源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级ＥＬ２的碰撞电离关系。......

MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)......

介绍一种基于计算机控制,运用于MOSFET单粒子效应动态测试的便携式仪器.它能对MOSFET在不烧毁情况下进行反复测试,捕捉其烧毁电流......

5 功率模块的参数。5．1 功率MOSFET模块。5．1．1 最大定额。1)漏源电压VD。MOSFET芯片中，漏源极间的最大允许电压。此时，栅源回路为开路......

高速高压脉冲源以大电压、快速开关为特点，在激光、X射线探伤、加速器技术等国防科研和高技术领域有着重要作用。一般固体器件快脉......

漏源电压检测作为一种成熟的检测方法,广泛用于碳化硅金属-氧化物半导体场效应管(SiCM0SFET)短路保护。从兼容性角度考虑,为满足不......

<正>5.4多能互补系统研究进展5.4.1分布式光/储系统控制技术储能技术在电力系统中的应用是近年来的研究热点。储能有助于平滑光伏......

反激式开关电源变压器的原边漏感对电路性能及电路中的功率开关管有很大影响,在变压器原边添加RCD钳位电路可抑制由原边漏感产生的......

漏源电压检测作为一种成熟的检测方法,广泛用于碳化硅金属-氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)短路保护。从兼容性角度考虑,为满足......

介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法。对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了......