氮化硅镁相关论文
研究了不同起始反应物体系(Mg+Si,MgSi和Mg+SiN)对氮气中燃烧合成氮化硅镁(MgSiN)粉体的影响,结果显示,不同反应物体系的燃烧产物......
通过自蔓延高温合成技术制备了以MgSiN2为主相的粉体,然后利用酸洗工艺除去杂质得到单相MgSiN2粉体。研究了原料配比、稀释剂MgSiN......
SiC半导体材料是第三代宽带隙（WBP）半导体材料。由于具有优异的性质如:宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等,......
在对氮化镓、氮化硅镁纳米材料的合成、应用等方面的发展现状进行了充分调研的基础上,本论文旨在探索高压釜中氮化镓、氮化硅镁等......
