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氧化锌（ZnO）是具有代表性的第三代半导体材料,具备激子束缚能高、带隙宽、单晶的生长技术成熟、抗辐射性能强、制备技术路线灵活并且......
近年来,紫外探测技术被广泛的应用于化学、环境和生物分析、火焰和辐射检测、天文学研究、光学通信和导弹预警等民用及军用领域。......
宽禁带（3.37eV）半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能，是发展短波长、低阈值发光/激光二极管（LEDs/LDs）的理想候选材料之一。然而，稳定的......
ZnO是一种宽带隙半导体（3.37 eV），激子束缚能高达60 meV，这使得ZnO具有高效源于激子的紫外发射，并使得ZnO在短波长激光二极管、紫外探测......
用传统常压固相烧结法,制备掺杂氧化镁的氧化锌陶瓷靶材,研究不同MgO含量及烧结温度对MgxZn1-xO陶瓷靶材的微观结构、力学性能、致......
