气压控制直拉法相关论文
由北京有色金属研究总院承担的“ 0.5～ 0.6μ m IC用 8英寸硅rn单晶抛光片研制”及“蒸气压控制直拉法生长半绝缘 GaArns单晶新技术......
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(......
介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术（LEC）、气压控制直拉技术（VCZ/PC-LEC）、垂直梯度凝固技术（V......
